专利名称 | 绝缘栅双极晶体管 | 申请号 | CN201120214540.1 | 专利类型 | 实用新型 | 公开(公告)号 | CN202145450U | 公开(授权)日 | 2012.02.15 | 申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 赵佳;朱阳军;孙宝刚;卢烁今;左小珍 | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 专利有效期 | 绝缘栅双极晶体管 至绝缘栅双极晶体管 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种绝缘栅双极晶体管,所述绝缘栅双极晶体管的元胞结构呈正六角形形状或正方形形状。本实用新型所提供的绝缘栅双极晶体管,由于其元胞结构呈正六角形形状或正方形形状,因此,单位元胞内垂直导电沟道区的面积占单位元胞总面积的比值较大,从而使得器件的导通电阻较小;而且,采用正六角形形状或正方形形状作为绝缘栅双极晶体管的元胞结构,能够使得各元胞更紧密地结合,从而使得电流分布更均匀,还能提高器件的表面利用率。 |
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