| 专利名称 | 一种离子注入剂量检测控制方法 | 申请号 | CN201010255031.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102376519A | 公开（授权）日 | 2012.03.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 汪明刚;刘杰;夏洋;李超波;陈瑶;赵丽莉;李勇滔 | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J37/32(2006.01)I | 专利有效期 | 一种离子注入剂量检测控制方法 至一种离子注入剂量检测控制方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种等离子体浸没注入离子剂量检测控制方法，属于等等离子体浸没注入剂量检测技术领域。其方法首先测量等离子体特性参数以及等离子体中的粒子组分和各组分的粒子含量；将等离子体中的所有离子和基团的质量等效为同一质量；将等离子体中的所有离子和基团的带电荷量等效为同一带电荷量；当等离子体目标注入剂量确定时，利用准静态蔡尔德-朗缪尔鞘层注入模型理论，计算得到该目标注入剂量的注入工艺时间。本发明的注入离子剂量检测控制的方法可以克服现有离子注入剂量检测方法中存在多种带电离子检测的问题；同时还可以用于等离子体浸没注入机的注入工艺流程控制。 |
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