| 专利名称 | 控制背孔剖面形状的方法 | 申请号 | CN201010520271.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102456610A | 公开（授权）日 | 2012.05.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 魏珂;黄俊;刘果果;刘新宇 | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 专利有效期 | 控制背孔剖面形状的方法 至控制背孔剖面形状的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种控制背孔剖面形状的方法。该方法包括：在底层材料上沉积金属薄膜；刻蚀去除底层材料上背孔位置沉积的金属薄膜；以底层材料上剩余的金属薄膜为掩膜对底层材料进行等离子刻蚀，通过逐步降低等离子刻蚀过程中制冷介质的流量来实现对背孔剖面形状的控制。利用本发明公开的方法，可以获得倾斜的背孔剖面，便于背孔内壁起镀层金属的完整覆盖，从而实现了背孔内镀层金的完整填充。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障