| 专利名称 | 半导体材料测量装置及原位测量界面缺陷分布的方法 | 申请号 | CN201110416227.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102495089A | 公开（授权）日 | 2012.06.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 曾雄辉;徐耿钊;黄凯;刘争晖;邱永鑫;钟海舰;樊英民;王建峰;周桃飞;徐科 | 主分类号 | G01N23/225(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N23/225(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体材料测量装置及原位测量界面缺陷分布的方法 至半导体材料测量装置及原位测量界面缺陷分布的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供半导体材料测量装置及原位测量界面缺陷分布的方法，属于半导体测试领域，该半导体材料测量装置包括一反应腔室、一样品平台、一聚焦离子束显微镜系统与一电子束诱导感生电流测量装置；并且在该方法中，对多层异质结构的半导体样品，可以利用该半导体材料测量装置的聚焦离子显微镜系统剥离部分表面，接着在原位沉积电极，然后用电子束诱导感生电流测量装置进行测量；本发明解决了现有技术中测量多层异质界面缺陷时采用单层测量的问题，本发明做到逐层解剖，逐层测量，极大的提高了工作效率。 |
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