| 专利名称 | MOSFET及其制造方法 | 申请号 | CN201010573204.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102487083A | 公开（授权）日 | 2012.06.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;许淼;梁擎擎 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | MOSFET及其制造方法 至MOSFET及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种MOSFET及其制造方法，其中所述MOSFET包括SOI晶片，所述SOI晶片包括底部半导体衬底、第一氧化物埋层和第一半导体层；源区和漏区，形成在SOI晶片上方的第二半导体层中，第二半导体层与SOI晶片之间由第二氧化物埋层隔开；沟道区，形成在第二半导体层中，沟道区夹在源区和漏区之间；栅叠层，包括位于第二半导体层上的栅介质层以及栅极导体；其中，所述MOSFET还包括在第一半导体层中形成的位于沟道下方的背栅，背栅具有不均匀掺杂分布，以及第二氧化物埋层作为背栅的栅介质层。该MOSFET可以通过改变背栅中的掺杂类型和/或掺杂分布而实现对阈值电压的调节，并且减小了源区和漏区之间的漏电流。 |
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