| 专利名称 | 晶体管、包括该晶体管的半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201010610932.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102569393A | 公开（授权）日 | 2012.07.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 梁擎擎;朱慧珑;钟汇才 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 晶体管、包括该晶体管的半导体器件及其制造方法 至晶体管、包括该晶体管的半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及晶体管、包括该晶体管的半导体器件以及所述晶体管和所述半导体器件的制造方法。根据本发明的晶体管包括：衬底，至少包括顺序堆叠的基底层、第一半导体层、绝缘层和第二半导体层；形成在第二半导体层上的栅极叠层；分别位于栅极叠层两侧的源区和漏区；背栅，包括分别由绝缘层和第一半导体层形成的背栅电介质和背栅电极；以及形成于背栅电极的一部分上的背栅接触。其中，背栅接触包括从背栅电极的表面凸出的外延部分，并且源区和漏区中的每一个都包括从第二半导体层的表面凸出的外延部分。与常规的晶体管相比，本发明的晶体管的制造工艺简化且制造成本降低。 |
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