| 专利名称 | 一种制备铜铟镓硒太阳能电池光吸收层的方法 | 申请号 | CN201210000913.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102569514A | 公开（授权）日 | 2012.07.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 刘英;孔德义;尤晖;赵聪;陈池来;林新华;高理升;王焕钦;李加伟 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备铜铟镓硒太阳能电池光吸收层的方法 至一种制备铜铟镓硒太阳能电池光吸收层的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及薄膜太阳能电池制备技术，特别涉及铜铟镓硒光吸收层的制备方法。其制备过程是（1）将金属铜、铟、镓的硒化物或金属铜、铟、镓和硒单质按照化学计量比混合搅拌均匀后球磨，得到粒径为10-10000nm的铜铟镓硒纳米粒子；其中Cu:In:Ga:Se原子摩尔比为0.9-1：0-1：0-1：2；（2）将铜铟镓硒纳米粒子分散于由分散剂与成膜剂组成的混合溶液中，搅拌或研磨或超声或磁力搅拌分散，得到CIGS前驱体浆料；（3）将前驱体浆料涂敷于衬底上，在空气气氛中烘干除去分散剂和成膜剂，得到前驱体薄膜；（4）将前驱体薄膜在惰性气氛下快速升温热处理，得到铜铟镓硒太阳能电池光吸收层薄膜成品。本方法简化了工艺流程，生产效率高，有利于环保，为CIGS基薄膜太阳能电池的大规模产业化拓宽了思路。 |
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