| 专利名称 | 基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法 | 申请号 | CN201210057292.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102570305A | 公开（授权）日 | 2012.07.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 周旭亮;于红艳;潘教青;赵玲娟;王圩 | 主分类号 | H01S5/323(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/323(2006.01)I | 专利有效期 | 基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法 至基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法，包括以下步骤：采用UHVCVD方法在衬底上生长第一缓冲层；将生长有第一缓冲层的衬底，放入MOCVD反应室并进行700℃高温处理；在第一缓冲层上外延第二缓冲层；在第二缓冲层上生长赝GaAs层；在赝GaAs层上生长850nm激光器结构，该850nm激光器结构包括依次生长的Al0.5Ga0.5As下包层、Al0.3Ga0.7As下波导、InGaAs有源区、Al0.3Ga0.7As上波导层、Al0.5Ga0.5As上包层和赝GaAs接触层；在850nm激光器结构上面的赝GaAs接触层上刻蚀，形成脊条；在外延片的上表面及脊条的侧面生成二氧化硅绝缘层；在脊条的上面制作电极窗口；在二氧化硅绝缘层及电极窗口上制作钛铂金电极，减薄后，在衬底的背面制作金锗镍电极，完成激光器的制备。 |
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