| 专利名称 | 一种一维导电聚吡咯/凹凸棒纳米复合材料的制备方法 | 申请号 | CN201110448804.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102532539A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 刘丰华;许高杰;周石;郭建军;程昱川 | 主分类号 | C08G73/06(2006.01)I | IPC主分类号 | C08G73/06(2006.01)I;C08K3/34(2006.01)I;C08K5/43(2006.01)I;C08K3/16(2006.01)I;C08K5/092(2006.01)I;C08L79/04(2006.01)I;H01B1/12(2006.01)I | 专利有效期 | 一种一维导电聚吡咯/凹凸棒纳米复合材料的制备方法 至一种一维导电聚吡咯/凹凸棒纳米复合材料的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种一维导电聚吡咯/凹凸棒纳米复合材料的制备方法，包括以下步骤：将纳米凹凸棒粉体和水混合均匀，制成凹凸棒粉体重量百分含量为0.2～4.9％的悬浮液；在搅拌的条件下，向悬浮液中加入吡咯，再向悬浮液中加入长链分子表面活性剂和掺杂剂，得到混合液；向混合液中加入氧化剂，在0～50℃氧化聚合3～24h后，过滤、洗涤和干燥后得到一维导电聚吡咯/凹凸棒纳米复合材料。本发明以一维纳米材料凹凸棒为硬模板、长链分子表面活性剂为软模板，通过硬模板和软模板相结合的方法制备一维导电聚吡咯/凹凸棒纳米复合材料，制备的一维导电聚吡咯/凹凸棒纳米复合材料尺寸均一可控，具有良好的导电性。 |
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