| 专利名称 | 一种半导体器件的制造方法 | 申请号 | CN201010594946.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102543696A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 许高博;徐秋霞 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体器件的制造方法 至一种半导体器件的制造方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；在形成场隔离后的半导体衬底上形成牺牲栅堆叠；环绕所述牺牲栅堆叠形成侧墙；在所述牺牲栅堆叠两侧在所述半导体衬底上形成源/漏区；在所述半导体衬底上形成SiO2层，在所述SiO2层上旋涂SOG，并进行反刻平坦化至所述牺牲栅堆叠顶露出；去除所述牺牲栅堆叠以在所述侧墙内形成凹槽，在所述凹槽内形成高k栅介质/金属栅堆叠。 |
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