| 专利名称 | 硅粉在中温微正压条件下氮化合成氮化硅粉体的方法 | 申请号 | CN201110296695.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102503434A | 公开（授权）日 | 2012.06.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 李江涛;杨建辉;杨增朝;韩林森;王福;陈义祥 | 主分类号 | C04B35/584(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/584(2006.01)I;C04B35/626(2006.01)I | 专利有效期 | 硅粉在中温微正压条件下氮化合成氮化硅粉体的方法 至硅粉在中温微正压条件下氮化合成氮化硅粉体的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于非氧化物氮化硅陶瓷粉体的制备，涉及在中温微正压条件下，以温度场诱发硅粉燃烧方式合成氮化硅粉体的方法。本发明是以硅粉和含氮化合物为原料，按不同的组分配比配制成反应混合料，经短时间研磨混合后，将混合料装于料舟内，并放入密闭的可加热耐压的反应炉中，经抽真空后充入一定压力的含氮非氧化性气体。通电预热混合料，温度升至500～900℃，通过局部加热或预埋点火块自燃方式，引发燃烧合成反应，合成后的氮化硅产物随炉冷却，经初碎后得到所述的氮化硅粉体。本发明结合了硅粉高温氮化工艺和硅粉燃烧合成氮化硅工艺的优点，降低了氮化反应温度和合成所需的压力，缩短了生产周期，大幅度降低了氮化硅粉体的生产成本。 |
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