一种石墨烯修饰的Pt电极及检测痕量重金属的方法

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专利名称 一种石墨烯修饰的Pt电极及检测痕量重金属的方法 申请号 CN201210059601.0 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN102621199A 公开(授权)日 2012.08.01 申请(专利权)人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明(设计)人 金庆辉;唐逢杰;丁古巧;张洹千;张凤;谢晓明;赵建龙 主分类号 G01N27/30(2006.01)I IPC主分类号 G01N27/30(2006.01)I;G01N27/48(2006.01)I 专利有效期 一种石墨烯修饰的Pt电极及检测痕量重金属的方法 至一种石墨烯修饰的Pt电极及检测痕量重金属的方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明涉及一种石墨烯修饰的铂电极,所述的铂电极是以在硅片上氧化生成二氧化硅层为基体,然后在二氧化硅基体上蒸镀金属铂电极,最后在铂电极上生长石墨烯,构成石墨烯修饰铂电极。采用溶出伏安法,利用MEMS工艺制作的石墨烯修饰的铂电极为工作电极,以Ag/AgCl电极作参考比电极,铂丝电极作为对电极,包括前处理、富集时间和电位设置及溶出伏安法的参数选择,检测出重金属极限值0.05mg/L,且提供的G/Pt电极比裸Pt电极具有明显的高的检测灵敏度。

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