专利名称 | 一种石墨烯修饰的Pt电极及检测痕量重金属的方法 | 申请号 | CN201210059601.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开(公告)号 | CN102621199A | 公开(授权)日 | 2012.08.01 | 申请(专利权)人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明(设计)人 | 金庆辉;唐逢杰;丁古巧;张洹千;张凤;谢晓明;赵建龙 | 主分类号 | G01N27/30(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/30(2006.01)I;G01N27/48(2006.01)I | 专利有效期 | 一种石墨烯修饰的Pt电极及检测痕量重金属的方法 至一种石墨烯修饰的Pt电极及检测痕量重金属的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种石墨烯修饰的铂电极,所述的铂电极是以在硅片上氧化生成二氧化硅层为基体,然后在二氧化硅基体上蒸镀金属铂电极,最后在铂电极上生长石墨烯,构成石墨烯修饰铂电极。采用溶出伏安法,利用MEMS工艺制作的石墨烯修饰的铂电极为工作电极,以Ag/AgCl电极作参考比电极,铂丝电极作为对电极,包括前处理、富集时间和电位设置及溶出伏安法的参数选择,检测出重金属极限值0.05mg/L,且提供的G/Pt电极比裸Pt电极具有明显的高的检测灵敏度。 |
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