| 专利名称 | 提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法 | 申请号 | CN201110023200.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102610747A | 公开（授权）日 | 2012.07.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘明;连文泰;龙世兵;吕杭炳;刘琦 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法 至提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法包括施加一个电流扫描信号到电阻转变存储器，直到该电阻表示电阻转变存储器的置位态；以及施加一个电流扫描信号到电阻转变存储器，直到该电阻表示电阻转变存储器的复位态。根据本发明提供的提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法采用电流扫描的方式能极大地改善高阻状态的分布，从而提高电阻转变存储器参数分布的均一性。 |
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