| 专利名称 | 确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子寿命的方法 | 申请号 | CN201210238641.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102736011A | 公开（授权）日 | 2012.10.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 赵妙;阎理贺;刘新宇;郑英奎 | 主分类号 | G01R31/26(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R31/26(2006.01)I | 专利有效期 | 确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子寿命的方法 至确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子寿命的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子寿命的方法，属于GaN基异质结构沟道量子阱中载流子驰豫物理机制技术领域。该方法根据“载流子峰值浓度—时间”平滑线散点图确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子的发光衰减时间，之后，在假定电子和空穴寿命相同的条件下，根据所述发光衰减时间确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子寿命。该方法能够对器件的物理机制进行深入的认识和对器件可靠性进行评价。 |
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