| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201110159506.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102832243A | 公开（授权）日 | 2012.12.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 罗军;赵超;钟汇才;李俊峰 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件，包括位于衬底上的栅极堆叠结构、位于栅极堆叠结构周围的栅极隔离侧墙、位于栅极堆叠结构两侧的源漏区、位于所述源漏区中的外延生长的源漏接触，其特征在于：所述源漏接触为镍基金属与衬底材料的化合物，位于所述源漏区中并与所述栅极隔离侧墙下方的沟道区接触。依照本发明的半导体器件及其制造方法，由于合理调整了镍基金属与衬底材料所形成的化合物的材质以及厚度，使得所形成的源漏接触具备良好的热稳定性，能够经受消除高k栅介电材料层缺陷的第二高温退火，从而大幅降低了源漏寄生电阻，提高了器件的电学性能。 |
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