| 专利名称 | 一种高稳定性的电阻式随机存储器及其制备方法 | 申请号 | CN201210259551.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102810634A | 公开（授权）日 | 2012.12.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 李润伟;朱小健;胡本林;尚杰 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高稳定性的电阻式随机存储器及其制备方法 至一种高稳定性的电阻式随机存储器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种高稳定性的电阻式随机存储器及其制备方法。该存储器包括绝缘衬底，位于绝缘衬底上表面的第一电极，位于第一电极上表面的中间层，以及位于中间层上表面的第二电极；中间层的上表面具有一个底端为尖形的内凹结构，第二电极下表面、与该内凹结构相对应位置具有一个与该内凹结构相配套的底端为尖形的外凸结构。当第一电极和第二电极之间施加电压时，根据尖端放电效应，该外凸结构部分形成局域增强的电场，带电缺陷粒子聚集在该外凸结构部分，最终在该外凸结构附近形成导电通道。因此，本发明的存储器能够有效控制第一电极与第二电极之间形成的导电通道的位置，从而提高了器件的稳定性。 |
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