| 专利名称 | 多波长发光二极管及其制备方法 | 申请号 | CN201210326905.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102856452A | 公开（授权）日 | 2013.01.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 金朝;范亚明;朱建军;边历峰 | 主分类号 | H01L33/04(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/04(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 多波长发光二极管及其制备方法 至多波长发光二极管及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供多波长发光二极管及其制备方法，涉及半导体材料与器件技术领域。本发明提供的多波长发光二极管包括一衬底、一缓冲层、一第一氮化镓层、一第二氮化镓层、一具有台阶化量子阱柱状结构的有源区、一电子阻挡层、一第三氮化镓层；本发明还提供所述多波长发光二极管的制备方法，包括：生长形成一具有多层结构的半导体结构；形成具有台阶化量子阱柱状结构的有源区；生长第三氮化镓层；沉积N型电极和P型电极。本发明提供多波长发光二极管及其制备方法，优点在于拓展发光二极管发光谱线范围，简化驱动电路的复杂性，提高电子或空穴的注入效率，降低接触电阻，提高了色度的调节和显色性指数。 |
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