| 专利名称 | 一种半导体结构 | 申请号 | CN201190000060.3 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202651088U | 公开（授权）日 | 2013.01.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;罗军;朱慧珑;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构 至一种半导体结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供一种半导体结构，该半导体结构包括衬底、源/漏区、栅堆叠结构、层间介质层、接触塞，其中：所述栅堆叠结构形成于所述衬底之上，包括栅介质层以及栅极；所述源/漏区形成于所述衬底之中，且位于所述栅堆叠结构两侧；所述层间介质层覆盖所述源/漏区；所述接触塞包括嵌于所述层间介质层中并与所述源/漏区电连接的第二导电材料，其中在所述层间介质层与所述源/漏区之间存在第一接触层以及在所述接触塞与所述源/漏区之间存在第二接触层；其中所述第一接触层包括CoSi2、NiSi或者Ni(Pt)Si2-y中的一种或其组合。利于降低接触电阻。 |
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