| 专利名称 | 多晶硅假栅移除后的监控方法 | 申请号 | CN201110165279.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102842518A | 公开（授权）日 | 2012.12.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 杨涛;赵超;李俊峰;闫江;陈大鹏 | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 专利有效期 | 多晶硅假栅移除后的监控方法 至多晶硅假栅移除后的监控方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种多晶硅假栅移除后的监控方法，包括以下步骤：在晶圆表面形成多晶硅假栅结构；确定晶圆质量的量测目标及误差范围；去除多晶硅假栅之后，使用质量量测设备测量晶圆的质量，判断多晶硅假栅是否完全移除。依照本发明的量测方法，可以不需要特定测试结构而快速准确对晶圆整片测量，从而有效监控判断多晶硅假栅是否彻底移除，同时该量测方法反馈结果直观、快速、准确，对晶圆不会带来损伤。 |
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