| 专利名称 | “H”形梁的电容式加速度传感器及制备方法 | 申请号 | CN201210418979.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102879609A | 公开（授权）日 | 2013.01.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 车录锋;周晓峰;熊斌;王跃林 | 主分类号 | G01P15/125(2006.01)I | IPC主分类号 | G01P15/125(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | “H”形梁的电容式加速度传感器及制备方法 至“H”形梁的电容式加速度传感器及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种“H”形梁的电容式加速度传感器及制备方法。该传感器至少包括：第一电极结构层、中间结构层及第二电极结构层；其中，第一电极结构层与第二电极结构层分别设置有电极引出通孔；所述中间结构层包括：形成在具有双器件层的含氧硅基片的边框、双面对称的质量块、及一根梁连接边框、另一根梁连接质量块且双面对称的“H”形弹性梁，在两质量块的两面对称地设有防过载凸点及阻尼调节槽，且“H”形弹性梁与含氧硅基片的体硅层间满足条件：a和c为两根梁的宽度，b为两根梁之间的间隙，d为梁与质量块连接处的连接宽度，h为体硅层厚度。本发明的制备方法简单，成品率高；形成的器件具有高度法向的对称性，抗侧向冲击和扭转冲击的能力强，交叉灵敏度低。 |
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