| 专利名称 | 一种SOI RESURF超结器件结构及其制作方法 | 申请号 | CN201210533276.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103021864A | 公开（授权）日 | 2013.04.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 程新红;夏超;王中健;曹铎;郑理;贾婷婷;俞跃辉 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种SOI RESURF超结器件结构及其制作方法 至一种SOI RESURF超结器件结构及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种SOI?RESURF超结器件结构及其制作方法，首先提供一SOI衬底；在该衬底的顶层硅上形成漂移区及源、漏端；提供一设有若干第一窗口的第一掩膜版，所述第一窗口的宽度沿源端到漏端方向依次增大；该掩膜版在该漂移区的垂直投影左侧距离所述漂移区左侧具有一定距离，自上述第一窗口进行N型离子注入；退火；提供一横向设有若干第二窗口的第二掩膜版；自该第二窗口向所述N型漂移区进行P型离子注入，形成间隔的P柱和N柱；且P柱不和漏端相连。本发明超结区的高浓度可以保证器件具备较低的开态电阻，RESURF区可以保证器件具备较高的耐压，改善了器件耐压和开态电阻之间的折衷关系，同时还可以降低器件耐压对于电荷不平衡的敏感度，提高器件可靠性。 |
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