| 专利名称 | 一种沉积室容积可调节的原子层沉积设备 | 申请号 | CN201110300066.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103031545A | 公开（授权）日 | 2013.04.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王燕;李勇滔;夏洋;赵章琰;石莎莉 | 主分类号 | C23C16/52(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/52(2006.01)I | 专利有效期 | 一种沉积室容积可调节的原子层沉积设备 至一种沉积室容积可调节的原子层沉积设备 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种半导体工艺设备，尤其是涉及一种沉积室容积可调节的原子层沉积设备。所述原子层沉积设备，包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件、控制部件和容积可调节的沉积室；控制部件分别与真空部件、加热部件、气路部件和等离子体产生部件相连接，真空部件、加热部件、气路部件和等离子体产生部件分别与容积可调节的沉积室相连接。本发明可提供不同容积的沉积室，能够较好的适应不同体积的待加工器件，沉积室和待加工器件合理的体积比，可以有效的降低沉积反应周期时间，减少劣质膜的生长，降低膜层的颗粒度，提供沉积质量，满足半导体器件到膜层精度的要求。 |
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