| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201110300828.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103035524A | 公开（授权）日 | 2013.04.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 殷华湘;徐秋霞;陈大鹏 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种半导体器件及其制造方法，采用PECVD在NMOS器件上覆盖一层具有高紫外光吸收系数的氮化硅膜，该氮化硅膜在受激激光表面退火处理时，能很好地吸收紫外光，从而获得良好的去氢效果，并在去氢后，氮化硅膜具有很高的张应力；由于氮化硅膜的紫外光吸收系数高，因此不需要对衬底进行加热，避免了由于需要加热衬底去氢而给器件带来的不良影响，保存了PECVD工艺带来的热预算。 |
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