| 专利名称 | 量子阱红外探测器的制作方法 | 申请号 | CN201310008615.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103050503A | 公开（授权）日 | 2013.04.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 时文华;缪小虎;苏瑞巩;熊敏;张宝顺 | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 专利有效期 | 量子阱红外探测器的制作方法 至量子阱红外探测器的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种量子阱红外探测器的制作方法，通过引入自对准工艺，完成探测器芯片的上电极制备与台面制备。其制作方法包括以下步骤：1、光栅光刻与刻蚀；2、通过光刻、电子束蒸发与剥离形成金属上电极；3、利用上电极金属作为掩膜，刻蚀形成台面；4、钝化层制备；5、钝化层开孔；6、通过光刻、电子束蒸发与剥离形成金属下电极。本发明相对传统的先刻蚀台面隔离的制造方法，可省略电极金属与台面之间的对准光刻，大大降低了工艺难度，并且上下金属电极可分别控制金属成分与厚度，会提高后期芯片与In柱倒装的可靠性。 |
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