| 专利名称 | 绝缘栅双极晶体管及其制作方法 | 申请号 | CN201110201384.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102891082A | 公开（授权）日 | 2013.01.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 孙宝刚;左小珍;朱阳军;卢烁今;吴振兴;赵佳 | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 绝缘栅双极晶体管及其制作方法 至绝缘栅双极晶体管及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明实施例公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述绝缘栅双极晶体管制作方法包括：采用轻掺杂的硅衬底作为漂移区；在所述漂移区内形成基区和沟槽栅区，所述基区位于所述沟槽栅区的两侧，且所述沟槽栅区的深度大于所述基区的深度；在所述基区内形成发射极区。本发明所提供的绝缘栅双极晶体管制作方法，通过在漂移区内形成沟槽栅区，从而使得导电沟道垂直化，且由于沟槽栅区的深度大于所述基区的深度，因此不存在JFET区，使得电流更加均匀。这种具有沟槽栅区结构的绝缘栅双极晶体管不仅可减小芯片的面积，而且可减小产生闩锁效应发生的几率。 |
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