光电子集成电光发射或光电接收芯片的制作与封装工艺研发。此处芯片制作工艺具体是指在III-V族（铟磷、镓砷等）或硅基材料芯片衬底上，集成直调激光器（DML等）、电光调制器（MZM等）、光电探测器（APD等）等器件。此处芯片封装工艺是指将流片完成后的芯片器件，封装成可以大规模应用的模块器件。 技术指标： （1）调制器：插损
