材料是复合金属，TiN/Al/TiN和ITO/Ag/ITO, 厚度约为100nm，要求采用半导体刻蚀技术，高精度曝光+干刻技术，指标为线宽小于0.6um，像素大小约为5um*5um, 刻蚀Tape角小于60度，实现一天加工4个硅片的能力，技术用于硅基OLED微显示器芯片的加工制造。 （来源：中科院苏州育成中心、苏州市生产力促进中心）
