安全仪表变送器外部SRAM高可靠性存储与诊断方法
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应用领域
装备制造
技术领域
先进制造技术
技术成熟度
可以量产
交易类型
完全转让,许可转让,技术入股,合作开发
本发明涉及安全仪表变送器外部SRAM高可靠性存储与诊断方法。本发明用于在MCU运行的过程中对外部SRAM进行数据存储和数据诊断,MCU首先将基础数据写入CPLD,CPLD将所述基础数据处理成另一差异性数据,在MCU的写信号控制下将所述基础数据写入一片SRAM中,将所述差异性数据写入另一片SRAM中;CPLD在接收到MCU的读信号时,将两个数据从两片SRAM中读入到CPLD中,进行数据诊断,如果数据诊断无错误,则将所述基础数据送入MCU,否则产生报警信号。本发明具备了存储和诊断的两种功能,不仅能够实时的对数据进行存储和诊断,还能诊断出SRAM软故障引起的故障失效,而且主控制器运行开销比较小,主控制器利用率比较高。