GaAs/AlGaAs半导体异质结结构栅极电控量子点的制备方法及其测量方法

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应用领域 电子与信息 技术领域 电子信息技术,其他 技术成熟度 已有样品 交易类型 合作开发

成果详情

本发明公开了一种GaAs/AlGaAs半导体异质结结构栅极电控量子点的制备方法，所述方法包括以下步骤：a.基片生长步骤；b.基片预处理步骤；c.量子点的制备步骤；和d.量子点样品的分块封装步骤。

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