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GaAs/AlGaAs半导体异质结结构的霍尔棒及其制作方法
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本发明公开了一种GaAs/AlGaAs半导体异质结结构体，所述结构体包括GaAs/AlGaAs异质结基片，顶层金属栅极300，其中所述GaAs/AlGaAs异质结基片依次包括GaAs衬底101、AlGaAs缓冲层102、AlGaAs掺杂层103、AlGaAs隔离层104、表面的GaAs盖帽层105，其中GaAs衬底101中具有二维电子气区106。
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