一种锰酸镧/半导体金属氧化物复合气敏材料及其制备方法

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成果详情

本发明公开了一种锰酸镧/半导体金属氧化物复合气敏材料及其制备方法，其特征在于：复合气敏材料是由半导体金属氧化物和锰酸镧混合构成。相比于纯半导体金属氧化物，LMO/半导体金属氧化物复合气敏材料的气敏性能提升有70％以上。

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