纳米环磁随机存取存储器(Nanoring-MRAM)

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成果详情

该项成果采用外直径为100 纳米、内直径为40至60 纳米、环宽为30至20 纳米尺度的纳米环磁性隧道结作为存储单元，设计和构建了纳米环磁随机存取存储器(MRAM)的原理型器件。该器件具有数据非易失性、高速读写能力、长寿命、低功耗和抗辐射等优点，是发展非易失性固态存储器的优选方案之一。

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